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封裝用鋁基板絕緣層

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瀏覽:- 發布日期:2017-08-21 16:17:00【

采用硬質陽極氧化工藝製備LED封裝用鋁基板絕緣層,通過實驗分析了製備鋁基板過程中氧化時間、草酸濃度、硫酸濃度和電流密度等因素對其氧化膜厚度、擊穿電壓的影響,得到了製備低熱阻鋁基板的最佳工藝參數:電流密度3A/dm2,草酸濃度為10g/L,H2SO4濃度150g/L,氧化時間45min。利用原子力顯微鏡(AFM)觀察熱衝擊後裂紋萌生的情況,結果表明鋁基板有微小裂紋,但仍滿足絕緣要求,通過對氧化鋁膜熱阻的測試發現,鋁基板與氧化膜的複合熱阻在1~3℃/W之間。結果表明用陽極氧化法製備的鋁氧化膜滿足LED基板對散熱及絕緣性的要求。